多模块存储器

单体多字存储器

单纯一次总线传输可以传多个连续的字

多体并行存储器

高位交叉

编址格式:[体号:体内地址]

低位交叉

编址格式:[体内地址:体号]

  • 体内地址 = 编址 / 体数
  • 体号 = 编址 % 体数
  • 连续 $m$ 个字 $\implies$ 各模块体交替被访问

启动方式

  • 轮流启动
    • 存取周期 $T$
    • 总线周期 $r$
    • 模块数 $m\geq \frac{T}{r}$
    • 冷启动取连续 $m$ 个字时间 $$t_{m}=T+(m-1)r$$
  • 同时启动
    • 当且仅当 存储模块读写位数 per time = 总线读写位数 per time
体冲突

发生体冲突会自动延长 $(m-1)\frac{T}{r}$ 的气泡,导致序列上原本在周期内的体冲突变不冲突

e.g. 四体交叉:0, 1, 1, 0

  • 0, 0 本来冲突
  • 但是由于 1, 1 先冲突插入气泡
  • 于是插入气泡后 0, 0 不冲突